| 发明名称 | 在封装结构的间断上的电绝缘的热接口结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造电子半导体壳体(400)的方法，其中，在该方法中将电子芯片(100)与载体(102)耦合，通过封装结构(200)至少部分地封装电子芯片(100)和部分地封装载体(102)，该封装结构具有间断(300)，通过电绝缘的热接口结构(402)覆盖间断(300)和连接到该间断的体积的至少一部分，该体积邻接载体(102)的裸露的表面部分(302)，该热接口结构相对于外部环境电解耦载体(102)的至少一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN104576551A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410542356.8 | 申请日期 | 2014.10.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | E·富尔古特;M·门格尔 |
| 分类号 | H01L23/28(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 用于制造电子半导体壳体(400)的方法，其中，所述方法具有：‑将电子芯片(100)与载体(102)耦合；‑通过封装结构(200)至少部分地封装所述电子芯片(100)并且部分地封装所述载体(102)，所述封装结构具有间断(300)；‑通过电绝缘的热接口结构(402)覆盖所述间断(300)和连接到所述间断的体积的至少一部分，所述体积邻接所述载体(102)的裸露的表面部分(302)，所述热接口结构相对于外部环境电解耦所述载体(102)的至少一部分。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||