光刻套刻标记及其形成方法

摘要

本发明公开了一种光刻套刻标记的形成方法，步骤包括：1）在第一层晶片上形成薄氧化层；2）在第一层晶片上刻蚀出凹槽形套刻标记；3）在第一层晶片上形成集成电路图形，去除氧化层；4）在第一层晶片上形成蚀刻中止层；5）第一层和第二层晶片键合；6）第二层晶片对准第一层晶片的套刻标记，曝光显影形成集成电路图形和套刻图形；7）在第二层晶片上刻蚀出凹槽形套刻标记及所需集成电路图形，并使第一层晶片的套刻标记露出。本发明还公开了用上述方法形成的光刻套刻标记，其截面呈凹槽形，下层晶片上的套刻标记表面有蚀刻中止层。本发明通过在上下两层晶圆上刻蚀凹槽形的光刻套刻标记，简化了晶圆键合之后光刻套刻精度的测量，降低了制程成本。

主权项

光刻套刻标记的形成方法，其特征在于，步骤包括：1）在第一层晶片上形成薄氧化层；2）在第一层晶片上刻蚀出凹槽形光刻套刻标记；3）在第一层晶片上进行正常的涂胶、光刻、显影、蚀刻工艺步骤，形成所需的集成电路图形，然后去除薄氧化层；4）在第一层晶片上形成蚀刻中止层；5）将第一层晶片和第二层晶片键合；6）将第二层晶片对准第一层晶片上的光刻套刻标记，在第二层晶片上涂布光刻胶，曝光显影，形成所需的集成电路图形和光刻套刻标记图形；7）在第二层晶片上刻蚀出凹槽形光刻套刻标记以及所需的集成电路图形，并使第一层晶片上的光刻套刻标记露出。