| 发明名称 | 芯片堆叠半导体封装件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种芯片堆叠半导体封装件及其制造方法，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有第一前表面、第一后表面以及位于第一前表面上的第一连接构件，第一后表面与第一前表面背对；第二芯片，具有第二前表面、第二后表面、第二连接构件以及电连接到第二连接构件的第一硅通孔(TSV)，第二后表面与第二前表面背对，第二连接构件位于第二前表面上；第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间，第一芯片的第一连接构件和第二芯片的第二连接构件相对于彼此对称。 | ||
| 申请公布号 | CN104576621A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410550291.1 | 申请日期 | 2014.10.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜芸炳;赵泰济;鲁炳爀 |
| 分类号 | H01L25/04(2014.01)I;H01L23/16(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/04(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;邱玲 |
| 主权项 | 一种芯片堆叠半导体封装件，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有第一前表面、第一后表面以及位于第一前表面上的第一连接构件，第一后表面与第一前表面背对；第二芯片，具有第二前表面、第二后表面、第二连接构件和第一硅通孔，第一硅通孔电连接到第二连接构件，第二后表面与第二前表面背对，第二连接构件位于第二前表面上；以及第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间，第一芯片的第一连接构件和第二芯片的第二连接构件相对于彼此对称。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||