发明名称 一种纳米复合材料电路板的孔化方法
摘要 一种纳米复合材料电路板的孔化方法,包括:(1)去毛刺,首先通过去毛刺设备对钻孔后的板面进行去毛刺处理,去除孔边缘的纳米复合材料毛刺,同时对表面进行抛光处理;(2)等离子处理,将抛光去毛刺后的电路板放入低温等离子设备中,采用合适的气体对孔内纳米复合材料层进行溅射刻蚀等物理反应处理;(3)化学沉铜,将经等离子处理好的电路板进行表面除油、微蚀、预浸、活化、加速、沉铜;(4)全板电镀,在化学沉铜层上通过电解方法沉积金属铜;本发明的优点是:有效地将孔内及孔边缘由于钻孔产生的纳米复合材料碎屑、批锋和毛刺进行去除,改善表面的浸润性和接触性,对聚四氟乙烯材料具有改性、激活,达到良好的孔化效果。
申请公布号 CN104582322A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201410796560.2 申请日期 2014.12.22
申请人 泰州市博泰电子有限公司 发明人 刘兆
分类号 H05K3/42(2006.01)I 主分类号 H05K3/42(2006.01)I
代理机构 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人 田欣欣;李雪花
主权项 一种纳米复合材料电路板的孔化方法,其特征在于,包括:(1)去毛刺,首先通过去毛刺设备对钻孔后的板面进行去毛刺处理,去除孔边缘的纳米复合材料毛刺,同时对表面进行抛光处理;(2)等离子处理,将抛光去毛刺后的电路板放入低温等离子设备中,采用合适的气体对孔内纳米复合材料层进行溅射刻蚀等物理反应处理;(3)化学沉铜,将经等离子处理好的电路板进行表面除油、微蚀、预浸、活化、加速、沉铜;(4)全板电镀,在化学沉铜层上通过电解方法沉积金属铜,以提供足够的导电性/厚度及防止导电电路出现热和机械缺陷。
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