发明名称 |
一种纳米硅材料及其用途 |
摘要 |
本发明公开了一种纳米硅材料,使用长度为300-800nm,宽度为20-40nm的棒状纳米SiO<sub>2</sub>材料通过镁热还原的方法制备得到,所述棒状纳米SiO<sub>2</sub>材料以凹凸棒土为原料,通过筛分、酸洗以及高温热处理制备得到。本发明以廉价的天然凹凸棒土为前驱体,从凹凸棒土中提纯得到棒状纳米SiO<sub>2</sub>,一步制备粒径分布较为均匀的单质硅材料,该方法易于放大合成,实验室可以达到克级反应,成本低廉;得到的单质硅材料的产率高,该单质硅材料经过包碳处理后作为锂离子电池的负极材料显示了非常好的储锂性能。 |
申请公布号 |
CN104577082A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201510011852.5 |
申请日期 |
2015.01.09 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
杜红宾;孙林 |
分类号 |
H01M4/38(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01M4/38(2006.01)I |
代理机构 |
南京知识律师事务所 32207 |
代理人 |
张铂 |
主权项 |
一种纳米硅材料,其特征在于使用棒状纳米SiO<sub>2</sub>材料通过镁热还原的方法制备得到,所述棒状纳米SiO<sub>2</sub>材料的长度为300‑800nm,宽度为20‑40nm。 |
地址 |
210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 |