发明名称 |
主动元件及其制作方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种主动元件及其制作方法。主动元件包括栅极、栅绝缘层、通道层、第一保护层、第二保护层、源极与漏极。栅绝缘层配置于基板上且覆盖栅极。通道层配置于栅绝缘层上且具有对应栅极设置的半导体区块及位于半导体区块周围的导体区块。第一保护层配置于通道层上且覆盖半导体区块。第二保护层配置且覆盖第一保护层。源极与漏极配置于栅绝缘层上,且沿着通道层的导体区块、第一保护层及第二保护层的周围延伸配置于第二保护层上。第二保护层的一部分暴露于源极与漏极之间。本发明提供的技术方案可有效地通过第二保护层来阻绝外界水气及氧气对通道层的影响,还可大幅降低接触阻抗且可提高主动元件的电性表现与可靠性。 |
申请公布号 |
CN104576746A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201310625002.5 |
申请日期 |
2013.11.27 |
申请人 |
元太科技工业股份有限公司 |
发明人 |
杨智翔;辛哲宏;陈蔚宗;吴幸怡 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种主动元件,配置于基板上,其特征在于该主动元件包括:栅极;栅绝缘层,配置于该基板上且覆盖该栅极;通道层,配置于该栅绝缘层上且具有半导体区块及位于该半导体区块周围的导体区块,其中该半导体区块与该栅极对应设置;第一保护层,配置于该通道层上且覆盖该半导体区块;第二保护层,配置于该第一保护层上且覆盖该第一保护层;以及源极与漏极,配置于该栅绝缘层上,且沿着该通道层的该导体区块、该第一保护层及该第二保护层的周围延伸配置于该第二保护层上,该第二保护层的一部分暴露于该源极与该漏极之间。 |
地址 |
中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 |