一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，含以下步骤：(1)在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料；(2)将印刷完局部刻蚀浆料的晶体硅片进行中高温处理，使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层；(3)采用酸液清洗掉晶体硅片背面钝化介质层上印刷的局部刻蚀浆料；(4)经含干燥工序获得背面钝化介质层局部刻蚀的晶体硅太阳电池。该方法工艺简单，成本低廉，不需要使用昂贵的仪器和设备。

主权项

一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是含以下步骤：(1) 在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料；    (2) 将印刷完局部刻蚀浆料的晶体硅片进行中高温处理，使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层；(3) 采用酸液清洗掉晶体硅片背面钝化介质层上印刷的局部刻蚀浆料；(4) 经含干燥工序获得背面钝化介质层局部刻蚀的晶体硅太阳电池；步骤(1)中所述的局部刻蚀浆料由以下质量百分含量的组分组成：SiO₂  55~80%、PbO₂  10~35%、乙基纤维素 5~25%、松油醇5~20%；步骤(2)中将晶体硅片进行中高温处理使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层时的温度为200℃~800℃；步骤(3)中所述酸液为HF酸，其质量百分含量为1~20%，或所述酸液为HF酸和HCl的混合溶液，其中HF酸的质量百分含量为1~10%，盐酸的质量百分含量为1~10%，清洗时间为2s~100s。