| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法，其中半导体发光元件包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；透明介电图案，位于所述发光半导体结构的至少一部分的上方；以及电极图案，位于所述透明介电图案上方，其中所述透明介电图案以及所述发光半导体结构之间具有至少一个空穴，且所述空穴与所述电极图案相对。本发明中，光束被电极图案吸收的机率可以降低，从而半导体发光元件的外部取光效率明显提升。 | ||
| 申请公布号 | CN104576841A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410335371.5 | 申请日期 | 2014.07.15 |
| 申请人 | 璨圆光电股份有限公司 | 发明人 | 曾嘉裕;刘宇轩 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于，包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；透明介电图案，位于所述发光半导体结构的至少一部分的上方；以及电极图案，位于所述透明介电图案上方，其中所述透明介电图案以及所述发光半导体结构之间具有至少一个空穴，且所述空穴与所述电极图案相对。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龙潭乡龙潭科技园区龙园一路99号 | ||