| 发明名称 | 辅助侧墙的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种辅助侧墙的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极；氧化所述衬底表面及栅极表面，在所述衬底表面以及栅极表面形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行氮离子掺杂工艺；在所述第一氧化层上形成第二氧化层；刻蚀所述第二氧化硅层和第一氧化硅层在所述栅极的两侧形成辅助侧墙。本发明通过对第一氧化层进行氮化，使所述第一氧化层内尤其是上表面内形成氮化物，所述氮化物可以作为第二氧化层和第一氧化层的界面，用于判断刻蚀进程，避免因过刻蚀第一氧化层至衬底，对所述衬底造成损伤的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102487003B | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201010569396.3 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种辅助侧墙的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极；氧化所述衬底表面及栅极表面，在所述衬底表面以及栅极表面形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行氮离子掺杂工艺，在第一氧化层的上表面内形成氮化物；所述氮离子掺杂工艺为氮离子注入或者含氮气体氛围下的退火；在所述第一氧化层表面形成第二氧化层，位于所述第一氧化层上表面的所述氮化物为所述第二氧化层和第一氧化层的界面；刻蚀所述第二氧化硅层和第一氧化硅层在所述栅极两侧形成辅助侧墙；其中，在所述栅极两侧形成辅助侧墙的步骤包括：在进行刻蚀第二氧化层时，进行离子种类的判断，若发现有氮离子成分，则放缓对第一氧化层进行的刻蚀进程。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||