成形体、其制造方法、电子装置用构件以及电子装置

摘要

本发明涉及一种成形体、其制造方法、包含前述成形体的电子装置用构件、以及具备前述电子装置用构件的电子装置，所述成形体的特征在于，其为基材层、底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，前述底漆层由如下材料构成：所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，且在X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能的峰位置处于101.5~104eV；前述阻气层是(I)向包含选自聚硅氮烷系化合物、聚有机硅氧烷系化合物、聚硅烷系化合物以及聚碳硅烷系化合物中的至少1种的高分子层中注入离子而得到的层，或者是如下层：(II)所述层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%，且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm³。

主权项

成形体，其特征在于，其为基材层、底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，所述底漆层由如下材料构成：所述材料至少包含碳原子、氧原子以及硅原子，由至少具有硅原子、碳原子以及氧原子的硅烷化合物、该硅烷化合物的水解产物或者添加有硅溶胶的有机树脂形成，且在X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能的峰位置处于101.5~104eV，所述阻气层是向包含选自聚硅氮烷系化合物、聚有机硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物以及聚硅烷系化合物中的至少1种的高分子层中注入离子而得到的层。