附载体铜箔

摘要

本发明提供一种附载体铜箔，其在向绝缘基板的积层步骤前载体与极薄铜层的密接力高，另一方面，在向绝缘基板的积层步骤后载体与极薄铜层的密接性降低，而可容易地在载体/极薄铜层的界面进行剥离，且可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。中间层在铜箔载体上依序积层镍、与钼或钴或钼-钴合金而构成。在中间层中，镍的附着量为1000～40000μg/dm²，在包含钼的情形时钼的附着量为50～1000μg/dm²，在包含钴的情形时钴的附着量为50～1000μg/dm²。当使中间层/极薄铜层之间剥离时，在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。

主权项

一种附载体铜箔，其依序具有铜箔载体、中间层、及极薄铜层，并且该中间层为依序积层镍、与钼或钴或钼‑钴合金而构成，在该中间层，镍的附着量为1000～40000μg/dm²，在含钼的情形时钼的附着量为50～1000μg/dm²，在含钴的情形时钴的附着量为50～1000μg/dm²，当使中间层/极薄铜层之间剥离时，若将根据利用XPS的自表面起算的深度方向分析而获得的深度方向(x：单位nm)的镍的原子浓度(％)设为g(x)，将铜的原子浓度(％)设为h(x)，将钼的合计原子浓度(％)设为i(x)，将钴的原子浓度(％)设为j(x)，将氧的原子浓度(％)设为k(x)，将碳的原子浓度(％)设为l(x)，将其他的原子浓度(％)设为m(x)，则在自该中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。