发明名称 |
一种改善光掩膜关键尺寸均匀性和针孔缺陷率的方法 |
摘要 |
本发明提供一种改善光掩膜关键尺寸均匀性和针孔缺陷率的方法,该方法包括以下步骤:将待显影处理的光掩膜固定在托架上;将喷嘴移动到所述光掩膜上方,在所述光掩膜的表面同时或依次喷涂润湿液和显影剂,对所述光掩膜表面进行显影处理;对显影处理完的光掩膜表面进行清洗、甩干。本发明采用在光掩膜表面上同时或依次喷涂润湿液和显影剂的方式降低了光掩膜表面存在的表面张力,使得显影剂更加均匀地喷涂在光掩膜表面上,从而在提高关键尺寸均匀性的同时也降低了针孔缺陷率。 |
申请公布号 |
CN104570626A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201310517759.2 |
申请日期 |
2013.10.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
巫轶骏 |
分类号 |
G03F7/30(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F1/72(2012.01)I;G03F1/82(2012.01)I |
主分类号 |
G03F7/30(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种改善光掩膜关键尺寸均匀性和针孔缺陷率的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:将待显影处理的光掩膜固定在托架上;将喷嘴移动到所述光掩膜上方,在所述光掩膜的表面同时或依次喷涂润湿液和显影剂,对所述光掩膜表面进行显影处理;对显影处理完的光掩膜表面进行清洗、甩干。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |