| 发明名称 | 一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，在内存初始化阶段，在运行MRC时，系统读取内存信息的内存电压值后，通过CPU内部的PCU单元，经过SVID总线向相应的VR地址，发送SVID命令“SetVID Fast XX”，实现对应VR的输出电压调整。本发明方法在不改变主板硬件和VR设计的情况下，通过SVID Command实现对内存VR的拉偏电压调节，同一个系统可以对插入DIMM槽的内存电压类型（1.5V内存或1.35V内存）做自适应电压调整，调整至用户希望的电压拉偏测试值，用户可根据实际的电压拉偏测试的测试条件来更新BIOS版本即可。该方法简单、有效的解决了服务器厂商在内存选型及兼容性测试用例中，内存电压拉偏测试需求。 | ||
| 申请公布号 | CN104572373A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201510002552.0 | 申请日期 | 2015.01.05 |
| 申请人 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 发明人 | 孔财;罗嗣恒 |
| 分类号 | G06F11/22(2006.01)I | 主分类号 | G06F11/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人 | 张靖 |
| 主权项 | 一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，其特征在于：在内存初始化阶段，在运行MRC时，系统读取内存信息的内存电压值后，通过CPU内部的PCU单元，经过SVID总线向相应的VR地址，发送SVID命令“SetVID Fast XX”，实现对应VR的输出电压调整。 | ||
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区浪潮路1036号 | ||