| 发明名称 | 一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，将经过扩散后的低方阻晶硅太阳能电池片在进行边缘PN结去除，依次置于一定浓度范围的氢氟酸（HF）溶液、氢氧化钾（KOH）溶液、氢氟酸溶液中若干分钟，上述的反应温度均为常温25±1℃。本发明的有益效果是提高扩散后电池片的方阻同时提高方阻均匀性，方阻均匀性提高1.5%以上。 | ||
| 申请公布号 | CN104576815A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310484327.6 | 申请日期 | 2013.10.16 |
| 申请人 | 浙江鸿禧能源股份有限公司 | 发明人 | 顾君;王庆钱 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种提高常规工艺扩散后方阻及均匀性的方法，包括如下工艺步骤：A．将经过扩散后的低方阻晶硅太阳能电池片在进行边缘PN结去除；B．将去除PN结的硅片置于一定浓度的氢氟酸（HF）溶液中去除表面的磷硅玻璃，时间为35～40s；C．然后将其置于一定浓度的氢氧化钾（KOH）溶液，时间为70～90s；D．最后通过一定浓度的氢氟酸溶液清洗，时间为35～40s。 | ||
| 地址 | 314206 浙江省嘉兴市平湖市新仓镇童车路 | ||