非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法

摘要

本发明公开了一种用于薄膜晶体管的非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法。用于薄膜晶体管包含掺杂硼的非晶硅沟道层，其中掺杂硼的非晶硅沟道层的暗电导率和电子激活能低于未掺杂硼的非晶硅沟道层，薄膜晶体管为n型薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极和沟道层，配置于所述基板上；栅绝缘层，配置于所述栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，分别接触所述沟道层的两侧。进行微量硼掺杂的非晶硅沟道层，补偿非晶硅材料中的类施主缺陷，降低其激活能，提高薄膜晶体管源漏极与沟道层间的势垒高度，从而降低薄膜晶体管漏电流；包括该掺杂硼的非晶硅沟道层的薄膜晶体管制造过程中，无需增加新的mask和更改生产设备。

主权项

一种非晶硅沟道层，所述非晶硅沟道层为掺杂有硼的非晶硅沟道层，其中，掺杂硼的非晶硅沟道层的暗电导率和电子激活能均低于未掺杂硼的非晶硅沟道层，所述非晶硅沟道层用于n型薄膜晶体管。