发明名称 |
一种阵列基板的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板的制备方法,属于显示技术领域,提高了半曝光技术的成功率,并且提高了阵列基板的良品率。该阵列基板的制备方法包括:形成待刻蚀的导电层;在所述导电层之上形成绝缘层,在所述绝缘层之上形成光刻胶层;进行半色调光罩工艺或灰色调光罩工艺,去除所述光罩的完全透光区域对应的绝缘层,并去除部分透光区域对应的光刻胶层、减小所述部分透光区域对应的绝缘层的厚度;去除所述绝缘层未覆盖区域的导电层,形成所述导电层的结构;去除剩余的光刻胶层以及所述部分透光区域对应的绝缘层。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。 |
申请公布号 |
CN104576527A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201410856151.7 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
杜海波;申智渊;明星;虞晓江 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
朱绘;张文娟 |
主权项 |
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:形成待刻蚀的导电层;在所述导电层之上形成绝缘层,在所述绝缘层之上形成光刻胶层;进行半色调光罩工艺或灰色调光罩工艺,去除光罩的完全透光区域对应的绝缘层,并去除部分透光区域对应的光刻胶层、减小所述部分透光区域对应的绝缘层的厚度;去除所述绝缘层未覆盖区域的导电层,形成所述导电层的结构;去除剩余的光刻胶层以及所述部分透光区域对应的绝缘层。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |