发明名称 |
具有多刺激感测的MEMS传感器器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及具有多刺激感测的MEMS传感器器件及其制作方法。器件包括感测了不同物理刺激的传感器。制作包含形成器件结构以包括传感器并且将帽结构和所述器件结构耦合,以便传感器置于帽结构和器件结构的衬底层之间。制作还包含在衬底层内形成端口,以便一个端口将传感器的感测元件暴露于外部环境,以及另一个端口将传感器暂时暴露于外部环境。密封结构被附着于衬底层,以便一个端口被密封结构密封并且密封结构的外部端口与端口对齐。 |
申请公布号 |
CN104555896A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201410535365.4 |
申请日期 |
2014.10.11 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
刘连军;J·S·巴特斯;M·肖德胡里;D·J·蒙克;B·A·塔赫瑞 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
申发振 |
主权项 |
一种制造微机电系统MEMS传感器器件的方法,包括:形成具有衬底层、第一传感器和第二传感器的第一结构,所述第一传感器和所述第二传感器被定位在所述衬底层的第一侧上,并且所述第二传感器与所述第一传感器横向间隔开;将第二结构和所述第一结构耦合,以便所述第一传感器和所述第二传感器置于所述衬底层和所述第二结构之间;在所述衬底层的第二侧内形成第一端口和第二端口,所述第一端口延伸穿过所述衬底层以将所述第一传感器的感测元件暴露于外部环境,并且所述第二端口延伸穿过所述衬底层以将所述第二传感器暂时暴露于所述外部环境;以及将第三结构附着于所述衬底层的所述第二侧,以便所述第二端口被所述第三结构密封并且所述第三结构的外部端口与所述第一端口对齐。 |
地址 |
美国得克萨斯 |