一种基于二维衍射的套刻精度量测结构

摘要

本实用新型提供一种基于二维衍射的套刻精度量测结构，所述量测结构至少包括：形成于硅片中的多个前层图案，所述前层图案在X方向和Y方向上有序排列；形成于所述硅片表面的多个当层图案；所述当层图案与所述前层图案交错排列；在X方向或者Y方向上，所述当层图案的套刻中心与相邻前层图案的套刻中心间的间隔是两个相邻前层图案套刻中心之间间隔的一半。本实用新型的量测结构通过激光的入射之后发生发射，在X正负半轴和Y正负半轴形成衍射光斑，再通过衍射光斑的光强差精确地测量判断出当层图案在四个方向是否发生偏移。

主权项

一种基于二维衍射的套刻精度量测结构，其特征在于，所述基于二维衍射的套刻精度量测结构至少包括：形成于硅片中的多个前层图案，所述前层图案在X方向和Y方向上有序排列；形成于所述硅片表面的多个当层图案；所述当层图案与所述前层图案交错排列；在X方向或者Y方向上，所述当层图案的套刻中心与相邻前层图案的套刻中心间的间隔是两个相邻前层图案套刻中心之间间隔的一半。