应用于半导体背面对准和导通的制作方法

摘要

本发明公开了一种应用于半导体背面对准和导通的制作方法，包括：1）在提供的半导体背面生长透光膜层；2）在半导体正面用光刻工艺做出光刻标记；3）用蚀刻工艺刻蚀步骤2）中的光刻标记，直到以步骤1）生长的透光膜层作为停止层，并且刻蚀掉部分透光膜层，形成刻蚀后的光刻标记；4）在刻蚀后的光刻标记中，进行材质填充，以此来形成背面用光刻标记；5）对半导体正面作表面处理，粘合晶片载体；6）使用背面工艺进行局部工艺处理，打开导电用的光刻标记；7）导电用的光刻标记中填充金属材质，处理表面金属材质，保证在背面的透光膜层上没有金属残留。本发明能有效改善背面工艺中的对准影响，防止背面污染，还可产生安全的导电通孔。

主权项

一种应用于半导体背面对准和导通的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）在提供的半导体背面生长一透光膜层；2）在半导体正面用光刻工艺做出光刻标记；3）用蚀刻工艺刻蚀步骤2）中的光刻标记，直到以步骤1）生长的透光膜层作为停止层，并且刻蚀掉部分透光膜层，形成刻蚀后的光刻标记；4）在步骤3）形成的刻蚀后的光刻标记中，进行材质填充，以此来形成背面用光刻标记；5）对半导体正面作表面处理，粘合晶片载体，以便进行后续的背面工艺；6）使用背面工艺进行局部工艺处理，打开导电用的光刻标记；7）步骤6）的导电用的光刻标记中填充金属材质，处理表面金属材质，保证在背面的透光膜层上没有金属残留。