发明名称 与针对两级存储器系统的读取和写入窗口预算相关联的技术
摘要 针对与针对两级存储器(2LM)系统的读取和写入窗口预算相关联的技术的示例被公开。在一些示例中,可以建立针对包括第一级存储器和第二级存储器的2LM系统的读取和写入窗口预算。建立的读取和写入窗口预算可以包括第二级存储器的第一组存储器地址和第二组存储器地址的组合。第一组存储器地址可以与相比于针对与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元的单元阈值电压分布而言具有更宽的单元阈值电压分布的非易失性存储器单元相关联。根据一些示例,建立的读取和写入窗口预算可以是当履行去往第二级存储器的读取或写入请求时满足针对给定量的存储器的完成时间阈值以及针对给定量的存储器的可接受的错误率阈值二者的策略的一部分。描述和要求保护其它示例。
申请公布号 CN104583978A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201380044585.0 申请日期 2013.06.25
申请人 英特尔公司 发明人 K. 潘加尔;P. 丹勒
分类号 G06F12/02(2006.01)I 主分类号 G06F12/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 谢攀;刘春元
主权项 一种方法,包括:建立针对包括第一级存储器和第二级存储器的两级存储器(2LM)系统的读取和写入窗口预算,读取和写入窗口预算包括第二级存储器的第一组存储器地址和第二组存储器地址的组合,第一组存储器地址与相比于针对与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元的单元阈值电压分布而言具有更宽的单元阈值电压分布的非易失性存储器单元相关联;接收向2LM系统写入数据的写入请求;以及基于读取和写入窗口预算而使数据被写入到第二级存储器。
地址 美国加利福尼亚州