垂直型NPN器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种垂直型NPN器件的制造方法，其基区下方的N型埋层是通过在基区两侧的注入，然后通过热推进形成连通，基区正下方不进行埋层注入，这样形成的器件既具有低的集电区电阻，同时也拥有较高的击穿电压，本发明所述垂直型NPN器件的制造方法，适用于BCD工艺，仅需修改集电区埋层的离子注入掩膜版，不需其他的离子注入，工艺简单易于实施，不增加制造成本。

主权项

一种垂直型NPN器件的制造方法，其特征在于，包含如下工艺步骤：第一步，在轻掺杂的P型衬底上，进行N型埋层的注入，埋层注入利用掩膜版避开所述垂直型NPN器件的基区区域；第二步，进行热过程推进，使注入的N型杂质向基区下方扩散，使得所述垂直型NPN器件P型基区下方的N型杂质浓度提高，N型埋层形成连通；第三步，生长N型外延层；第四步，利用掩膜版定义集电区沉阱，进行N型沉阱的注入；第五步，利用掩膜版定义基区，进行P型基区的注入；第六步，进行局部场氧化，形成场氧；第七步，利用掩膜版进行发射区以及集电区接触注入区的杂质注入；再利用掩膜版进行基区接触注入区杂质注入。