| 发明名称 | 一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。本发明的探测器结构可拓展半导体衬底上波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的研制方法，采用In组分反向递变的砷化物异变缓冲层结构，有望较好释放较大失配InGaAs材料中的应变，降低InGaAs吸收层中缺陷密度，提高器件性能；本发明在波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的结构设计等方法引入了更大的自由度，具有广泛的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104576785A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410728282.7 | 申请日期 | 2014.12.04 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 陈星佑;顾溢;张永刚;奚苏萍 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，其特征在于：在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||