| 发明名称 | 导电性钙铝石型化合物粉末的制造方法 | ||
| 摘要 | 人们期待着将导电性钙铝石型化合物应用于冷电子发射器、导电体、有机EL电子注入电极、热电转换材料、热电子发电材料、还原剂、氧化剂、催化剂等中。如果获得比表面积大的导电性钙铝石型化合物，则各用途的有用性会显著变高。通过利用如下工序而制造传导电子浓度为10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>以上并且比表面积为5m<sup>2</sup>g<sup>-1</sup>以上的导电性钙铝石型化合物粉末：(1)将原料粉末和水的混合物进行水热处理而形成前体粉末的工序；(2)将前述前体粉末进行加热脱水而形成钙铝石型化合物粉末的工序；(3)将化合物粉末在非活性气体气氛或真空中加热而形成活化了的钙铝石型化合物粉末的工序；(4)将前述活化了的钙铝石型化合物粉末与还原剂混合，通过还原处理而将电子注入钙铝石型化合物的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104583129A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201380044557.9 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 国立大学法人东京工业大学 | 发明人 | 细野秀雄;原亨和;井上泰德;北野政明;林文隆;横山寿治;松石聪;户田喜丈 |
| 分类号 | C01F7/16(2006.01)I;B01J23/58(2006.01)I;B01J37/02(2006.01)I;C01C1/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | C01F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人 | 刘淼 |
| 主权项 | 一种钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，利用如下工序获得传导电子浓度为10<sup>15</sup>cm<sup>‑3</sup>以上并且比表面积为5m<sup>2</sup>g<sup>‑1</sup>以上的导电性钙铝石型化合物粉末：(1)将钙铝石型化合物的原料粉末和水的混合物进行水热处理而形成钙铝石型化合物的前体粉末的工序；(2)将所述前体粉末进行加热脱水而形成钙铝石型化合物粉末的工序；(3)将所述钙铝石型化合物粉末在非活性气体气氛或真空中在400～1000℃的温度范围加热3小时以上从而形成活化了的钙铝石型化合物粉末的工序；(4)将所述活化了的钙铝石型化合物粉末与还原剂混合，在400～1100℃的温度范围加热，通过还原处理而将电子注入钙铝石型化合物的工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||