基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法

摘要

一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法包括：在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层；在所述吸收层上重掺杂生长导电层；在所述导电层上键合高阻硅晶圆；通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅层；通过湿法腐蚀工艺去除SOI材料的埋氧层；通过离子注入工艺及快速热退火工艺在所述SOI材料的顶硅层上形成电极过渡区；再通过深硅刻蚀工艺形成微台面，并沉积氮化硅钝化层；在所述氮化硅钝化层上腐蚀开孔，并通过电子束蒸发工艺形成正电极和负电极；再通过退火工艺形成电极欧姆接触；通过电子束蒸发工艺加厚所述正电极和所述负电极。本发明的技术方案提高了阻挡杂质带探测器的量子效率和响应率。

主权项

一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法，其特征在于，包括：在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层；在所述吸收层上重掺杂生长导电层；在所述导电层上键合高阻硅晶圆；通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅层；通过湿法腐蚀工艺去除SOI材料的埋氧层；通过离子注入工艺及快速热退火工艺在所述SOI材料的顶硅层上形成电极过渡区；再通过深硅刻蚀工艺形成微台面，并沉积氮化硅钝化层；在所述氮化硅钝化层上腐蚀开孔，并通过电子束蒸发工艺形成正电极和负电极；再通过退火工艺形成电极欧姆接触；通过电子束蒸发工艺加厚所述正电极和所述负电极。