| 发明名称 | MEMS扫描振镜的磁场系统 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种MEMS扫描振镜的磁场系统，包括MEMS扫描振镜芯片和至少一个磁体组，所述的每个磁体组包括分别位于所述MEMS扫描振镜芯片上下两侧的上磁体和下磁体，所述的上磁体和下磁体的相对面磁极同性。本系统优化了永磁体与振镜的相对位置，可以使MEMS扫描振镜的驱动平面上的磁感应强度达到最大。<b /> | ||
| 申请公布号 | CN104570332A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310479059.9 | 申请日期 | 2013.10.14 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 沈文江;余晖俊 |
| 分类号 | G02B26/10(2006.01)I | 主分类号 | G02B26/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人 | 王锋 |
| 主权项 | 一种MEMS扫描振镜的磁场系统，包括MEMS扫描振镜芯片和至少一个磁体组，其特征在于：所述的每个磁体组包括分别位于所述MEMS扫描振镜芯片上下两侧的上磁体和下磁体，所述的上磁体和下磁体的相对面磁极同性。 | ||
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区独墅湖高校区若水路398号 | ||