发明名称 将结构引入衬底中的方法
摘要 本发明涉及用于产生微结构衬底的方法以及它们在自然科学和技术中的应用,特别是在半导体、微流体和分析设备中。涉及通过提供受控电气放电,引入诸如孔或空腔或沟道或井或凹进的结构或结构变化的方法。
申请公布号 CN102271881B 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN200980148582.5 申请日期 2009.12.02
申请人 皮可钻机公司 发明人 克里斯蒂安·施密特;莱安德·迪特曼;恩里科·斯图拉
分类号 B26F1/28(2006.01)I 主分类号 B26F1/28(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 谷惠敏;穆德骏
主权项 一种在衬底中引入结构或结构变化的方法,所述方法包括步骤:a)提供室温条件下电绝缘或半导电的衬底,并把该衬底放置在连接到用户控制的电压源的至少两个电极之间,b)通过所述用户控制的电压源,把用户限定量值的电压施加到所述衬底的区域上,所述电压足以导致通过所述衬底的电流增加,由此将限定数量的电能量施加到所述衬底;c)把另外的能量施加到所述衬底,以增加所述衬底的温度和导电率,使得发起步骤b)中的电流流动,所述另外的能量源自于另外的能源或源自于在步骤b)中施加的所述电压的分量,d)耗散所述衬底中的在步骤b)中施加的所述电能量,其中,仅利用下述之一来控制步骤d):(i)步骤b)中用户限定的施加电压量值,(ii)步骤b)中用户限定时间段,(iii)所述电压源的阻抗,和(iv)(i)至(iii)的任意组合,其中,仅通过用户限定的上述(i)、(ii)、(iii)或(iv),而不使用随时间分析跨衬底电流或跨衬底电压的编程或反馈电路,来实现通过控制(i)、(ii)、(iii)或(iv)的步骤d)的所述控制,其中,在步骤a)中提供的室温条件下电绝缘或半导电的所述衬底具有附着的至少一个电绝缘层,其中,所述电绝缘层在室温条件下为固态、液态或气态,其中,当所述电绝缘层在室温条件下为气态,则所述电绝缘层不是空气,其中,所述电绝缘层具有与衬底区相邻并接触的绝缘区,其中,在该衬底区引入结构或结构变化,其中,步骤c)被执行以使得所述电绝缘层,如果在步骤a)中提供为固态,在所述绝缘区中被液化,或步骤c)被执行以使得所述电绝缘层,如果在步骤a)中提供为液态,在所述绝缘区中被部分蒸发,其中,在步骤d)期间,通过所述电能量的耗散,在所述绝缘区中部分地位移所述电绝缘层,以及其中,在步骤d)后,所述气态、液态或部分蒸发的电绝缘层流入到所产生的结构中,并由此封闭或至少部分填充所述结构。
地址 瑞士洛桑