存储器装置的侧壁间隔物的制造方法及半导体装置

摘要

本发明公开了一种存储器装置的侧壁间隔物的制造方法及半导体装置。该侧壁间隔物形成于具有一存储器阵列区及至少一外围电路区的一存储器装置，该方法包含形成邻近于存储器阵列区的字线的一第一间隔物及形成邻近于外围电路区的晶体管的一第二间隔物。第一间隔物具有第一宽度，而第二间隔物具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。本发明可以降低存储器装置的侧壁间隔物的制造成本。

主权项

一种存储器装置的侧壁间隔物的制造方法，包含下列步骤：提供一基板，包含一外围电路区及一存储器阵列区，其中至少一电子元件层定义于该外围电路区及该存储器阵列区，且该电子元件层包含至少一晶体管及至少一字线；形成一第一介电层于该外围电路区及该存储器阵列区；形成一第二介电层于该第一介电层上；蚀刻该第二介电层以暴露该第一介电层；形成一第三介电层于该外围电路区及该存储器阵列区；涂布一遮罩层于该外围电路区；蚀刻于该存储器阵列区的该第三介电层以暴露该第二介电层及该第一介电层；蚀刻于该存储器阵列区的全部第二介电层；移除于该外围电路区的该遮罩层；蚀刻于该电子元件层上的该第一介电层及该第三介电层以暴露该晶体管及该字线，其中一第二间隔物邻近该晶体管形成，一第一间隔物邻近该字线形成，且该第一间隔物含有一第一厚度；移除于该外围电路区的该第二介电层及该第三介电层以定义该第一介电层的一L型剖面，该第一介电层于该外围电路区含有一第二厚度，其中该第二厚度大于该第一厚度。