| 发明名称 | 制造硅光伏电池的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造晶体硅光伏电池的方法，所述方法包括：在硅基板的正表面上提供介电层；在要形成用于各光伏电池的正面触点的预定位置形成穿过介电层的开孔；其后；在基板的正面上提供第一金属层；在硅基板的背面上提供第二金属层；其后，在峰值退火温度下退火，第一金属层的选择应能够在峰值退火温度下形成硅化物；以此在电池背面形成背面触点和背表面电场区域，从而同时在正面第一金属层与硅基板直接接触的位置形成硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN104584240A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201380043227.8 | 申请日期 | 2013.08.22 |
| 申请人 | IMEC 非营利协会 | 发明人 | I·库兹玛 费利佩克 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 王颖;沙永生 |
| 主权项 | 一种制造晶体硅光伏电池的方法，所述方法包括：‑在硅基板的正表面上提供介电层；‑在将要形成用于各光伏电池的正面触点的预定位置形成穿过介电层的开孔；‑其后；○在基板的正面上提供第一金属层；○在硅基板的背面上提供第二金属层；‑其后，在峰值退火温度下退火，第一金属层的选择应能够在所述峰值退火温度形成硅化物；以此在电池背面形成背面触点和背表面电场区域，从而同时在正面第一金属层与硅基板直接接触的位置形成硅化物。 | ||
| 地址 | 比利时勒芬 | ||