一种叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器

摘要

本发明提出了一种叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器，尤其是一种宏通道液体制冷的叠层阵列半导体激光器。该叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器包括自下而上依次设置的下通水块，绝缘片a，正电极片，半导体激光器模块，负电极片，绝缘片b，上通水块；半导体激光器模块为多个半导体激光器单元堆叠而成，半导体激光器单元采用了片状结构的液体制冷片，其上设有通水区和芯片安装区。本发明中的叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器采用了宏通道的制冷结构，制冷通道为多组通孔，结构简单，与微通道制冷结构相比，对制冷液颗粒度要求不高且液体制冷通道被腐蚀的风险较低，提高了半导体激光器的可靠性。

主权项

一种叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器，其特征在于：包括自下而上依次设置的下通水块，绝缘片a，正电极片，半导体激光器模块，负电极片，绝缘片b，上通水块；所述的半导体激光器模块为多个半导体激光器单元堆叠而成，且半导体激光器模块内设有液体制冷通道；所述的半导体激光器单元包括激光芯片，液体制冷片，绝缘层和负极连接片，所述的液体制冷片为片状结构，其上设有通水区和芯片安装区，芯片安装区位于液体制冷片的一端，通水区位于液体制冷片上靠近芯片安装区的位置，通水区分为相互对应的A面和B面两个面，A面和B面分别位于液体制冷片的上表面和下表面，所述的通水区A面设有多个出水柱孔C，通水区B面设有多个进水柱孔D，通水区A面的出水柱孔C和B面的进水柱孔D相互连通；所述的激光芯片的正极焊接或者金属键合在液体制冷片的芯片安装区，所述的绝缘层设置在液体制冷片上，所述的负极连接片一端焊接或者金属键合在激光芯片的负极上，另一端焊接或者金属键合在绝缘层上，绝缘层用于将负极连接片和液体制冷片绝缘。