| 发明名称 | 一种MOSFET结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOSFET结构及其制造方法，其中该方法包括：a.提供衬底(100)；b.在衬底上形成硅锗沟道层(101)、伪栅叠层(200)和牺牲侧墙(102)；c.去除未被伪栅叠层(200)覆盖的以及位于伪栅叠层(200)两侧下方的硅锗沟道层(101)和部分衬底(100)，形成空位(201)；d.在所述半导体结构上选择性外延生长第一半导体层(300)以填充空位(201)的底部和侧壁区域；e.去除牺牲侧墙(102)，在未被第一半导体层(300)填充的空位(201)中填充第二半导体层(400)。本发明方法所制备的半导体结构能够提高沟道中的载流子迁移率，有效地抑制了短沟道效应的不良影响，提高了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104576378A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310476543.6 | 申请日期 | 2013.10.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)；b.在衬底上形成硅锗沟道层(101)、伪栅叠层(200)和牺牲侧墙(102)；c.去除未被伪栅叠层(200)覆盖的以及位于伪栅叠层(200)两侧下方的硅锗沟道层(101)和部分衬底(100)，形成空位(201)；d.在所述半导体结构上选择性外延生长第一半导体层(300)以填充空位(201)的底部和侧壁区域；e.去除牺牲侧墙(102)，在未被第一半导体层(300)填充的空位(201)中填充第二半导体层(400)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||