图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法

摘要

本发明公开了一种图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法，固定的硅片将电解槽分为两个独立的部分，铂网作为电极材料，腐蚀液为氢氟酸和乙醇按一定配比形成的混合溶液。光强可调，可选特定波长连续可调以及具有图形化配件的光源照射硅片表面，该光源由控制器控制输出激光，再经由光学系统准直扩束，最终通过图形化配件输出照射到硅片表面。在满足n型掺杂硅片所需的空穴的同时更重要的是提供了图形化配件思路，虽然引入的光源条件作为参量使系统复制化，但是对于多孔硅层的形貌产生了积极影响，使形成的多孔硅层的形貌具有多样性。对于p型掺杂的硅片除了加快腐蚀速率之外也可实现相同的功能，并提供了一种双槽电化学腐蚀制备多孔硅层的新思路。

主权项

一种图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法，采用双槽电解池法制备出的多孔硅，其特征在于：利用硅片将电解槽分为两个独立的部分，采用铂网作为电极材料，采用恒流源作为腐蚀过程提供的所需电流，腐蚀液采用氢氟酸和乙醇按设定配比形成的混合溶液，通过对光强的调控，利用特定波长连续可调的光源进行光照，再通过具有图形化配件的光源控制系统，照射硅片表面，来调控硅片的多孔硅层形貌，根据设计需要制备多孔硅。