一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法，将设置在蓝宝石衬底上的功率半导体器件转移至目标衬底上，该功率半导体器件包括生长在蓝宝石衬底上的外延层以及镀覆在外延层上表面的若干金属电极块，主要步骤如下：1）放置焊料：在功率半导体器件表面放置焊料；2）晶圆键合：采用晶圆级键合技术，通过焊料将功率半导体器件的上表面键合至目标衬底上；3）剥离蓝宝石衬底：采用激光剥离技术将功率半导体器件从蓝宝石衬底上剥离，以完成功率半导体器件的转移，该方法操作简单，可有效防止因放置的焊料太多，导致在器件与目标衬底相键合时造成焊料与器件的金属电极块、外延层同时接触，导致器件短路、失效的情况发生。

主权项

一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法，将设置在蓝宝石衬底上的功率半导体器件转移至目标衬底上，所述功率半导体器件包括生长在所述蓝宝石衬底上的外延层以及镀覆在所述外延层上表面的相间隔设置的多个金属电极块，其特征在于，所述衬底转移方法主要包括如下步骤：1）放置焊料：在所述功率半导体器件的所述金属电极块的上表面放置焊料，所述焊料在水平面上的投影面积小于所述金属电极块在水平面上的投影面积；2）晶圆键合：将目标衬底放置在所述功率半导体器件的上端并与所述焊料相接触，采用晶圆级键合技术，通过所述焊料将所述功率半导体器件的所述金属电极块与所述目标衬底相键合； 3）剥离蓝宝石衬底：采用激光剥离技术将所述功率半导体器件从所述蓝宝石衬底上剥离，以完成所述功率半导体器件衬底的转移。