| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管，包括源极、漏极和有源层，其中，所述源极、漏极和有源层同层设置，所述源极和漏极分别通过其侧面与所述有源层相接，所述源极和漏极的材料为金属，所述有源层的材料为与所述源极和漏极材料相对应的金属氧化物半导体。该薄膜晶体管可减少工序，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104576760A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201510054532.8 | 申请日期 | 2015.02.02 |
| 申请人 | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 宋博韬;林亮;邹志翔;黄寅虎 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括源极、漏极和有源层，其中，所述源极、漏极和有源层同层设置，所述源极和漏极分别通过其侧面与所述有源层相接，所述源极和漏极的材料为金属，所述有源层的材料为与所述源极和漏极材料相对应的金属氧化物半导体。 | ||
| 地址 | 230011 安徽省合肥市新站区胜利路88号 | ||