晶圆级芯片尺寸封装结构及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片尺寸封装结构及其制作工艺，首先，在晶圆焊垫的正面上铺设一定厚度的防护层或防护层与金属层的组合，然后，在晶圆背面形成第一开口，在第一开口内铺设绝缘层；接着，在第一开口底部的绝缘层上形成第二开口，最后，在绝缘层及第二开口内铺设金属布线层，将晶圆正面焊垫的电性导出至晶圆背面。本发明通过在焊垫正面上铺设的一定厚度防护层或防护层与金属层的组合，不仅增加了芯片的封装强度，避免了第二开口易穿透焊垫出现的可靠性问题；同时，降低了工艺难度，增加了工艺窗口，提高了芯片的可靠性。

主权项

一种晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于：包括具有至少一个芯片单元(1)的晶圆，所述芯片单元包括衬底(101)和位于所述衬底的正面的介质层(102)，所述衬底的正面设置有元件区(103)，所述元件区周边设有若干焊垫(104)，且所述焊垫位于所述介质层内，所述元件区与其周边的焊垫电性相连，所述介质层上具有暴露部分所述焊垫正面的第三开口(105)；所述衬底的背面与每个所述焊垫相对的位置形成有第一开口(6)，所述衬底的背面和所述第一开口的内壁上形成有绝缘层(4)，所述第一开口底部的绝缘层上形成有第二开口(7)，所述第二开口暴露出所述焊垫的背面；所述第三开口内形成有加强层。