第III族氮化物外延层压基板

摘要

公开一种外延层压的第III族氮化物基板，其中可改进第III族氮化物半导体的结晶性而不增加基板翘曲量。具体公开一种包括以下的外延层压的第III族氮化物基板：基板、在基板上形成的缓冲层和通过在缓冲层上外延生长第III族氮化物层而在缓冲层上形成的主层压体。所述基板特征在于：缓冲层包括与基板接触的初始膜生长层、在初始膜生长层上形成的第一超晶格层压体和在第一超晶格层压体上形成的第二超晶格层压体，所述第一超晶格层压体通过以交替方式层压5-20层包括AlN材料的第一AlN层和相同数量的包括GaN材料的第二GaN层来生产，一对所述第一AlN层和所述第二GaN层具有小于44nm的厚度，所述第二超晶格层压体通过以交替方式层压多组包括AlN材料或AlGaN材料的第一层和具有与第一层带隙不同带隙的包括AlGaN材料的第二层来生产。

主权项

一种第III族氮化物外延层压基板，其包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；和通过在所述缓冲层上外延生长第III族氮化物层形成的主层压体，其中所述缓冲层包括与所述基板接触的初始生长层，在所述初始生长层上形成的第一超晶格层压体，和在所述第一超晶格层压体上形成的第二超晶格层压体，所述第一超晶格层压体包括5‑20组由AlN材料制成的第一AlN层和由GaN材料制成的第二GaN层，所述第一AlN层和所述第二GaN层交替堆叠，并且每一组所述第一AlN层和所述第二GaN层具有小于44nm的厚度，所述第二超晶格层压体包括多组由AlN材料或AlGaN材料制成的第一层和具有与所述第一层不同带隙的由AlGaN材料制成的第二层，所述第一层和所述第二层交替堆叠，所述缓冲层是电绝缘性的，和所述第二超晶格层压体的平均C浓度是1×10¹⁸/cm³以上。