晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，图形化衬底形成第一开口；在第一开口的侧壁上形成阻挡侧墙，阻挡侧墙和第一开口的底部围成第二开口；在第二开口中形成半导体层；在半导体层上形成应力层，半导体层的晶格常数大于应力层的晶格常数；在应力层上形成栅极结构，在阻挡侧墙背向第一开口的一侧的衬底中形成掺杂区。晶体管包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于栅极结构下方的衬底中的第一阻挡侧墙、第二阻挡侧墙，位于第一阻挡侧墙和第二阻挡侧墙之间的半导体层；位于半导体层上的应力层，半导体层的晶格常数大于应力层的晶格常数；位于第一阻挡侧墙、第二阻挡侧墙之外的衬底中的掺杂区。本发明提高晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，图形化所述衬底形成位于衬底中的第一开口；在所述第一开口的侧壁上分别形成第一、第二阻挡侧墙，所述第一、第二阻挡侧墙和第一开口的底部围成第二开口；在所述第二开口中形成半导体层；在半导体层上形成应力层,所述半导体层的晶格常数大于应力层的晶格常数；在应力层上形成栅极结构，分别在第一阻挡侧墙和第二阻挡侧墙之外的衬底中形成掺杂区，且使所述应力层位于所述掺杂区之间；所述第一阻挡侧墙和第二阻挡侧墙用于阻挡半导体层在水平方向释放晶格压力进而增加施加到应力层的压力。