| 发明名称 | MOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层具有暴露半导体衬底的开口；沿所述开口在半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成半导体填充层；形成填充满所述开口的栅极结构，本发明还提供采用上述方法的CMOS晶体管的形成方法，以及相应的MOS晶体管和CMOS晶体管，通过本发明可以降低PMOS晶体管的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102856203B | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201110180765.4 | 申请日期 | 2011.06.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种P型MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层具有暴露半导体衬底的开口；其特征在于，还包括：沿所述开口在半导体衬底内形成凹槽，所述半导体衬底是晶体取向为(100)的硅衬底，所述凹槽的形成工艺为湿法刻蚀工艺，包括：沿所述开口刻蚀半导体衬底，所述刻蚀停止在晶体取向为(111)的晶面，并且通过刻蚀时间控制所形成的凹槽的深度，形成具有锯齿状侧壁，且两端浅、中间深的凹槽，所述湿法刻蚀工艺选用的试剂包括四甲基氢氧化铵和表面活性剂；在所述凹槽内形成n型的填充层以降低PMOS晶体管的阈值电压，所述n型的填充层为n型的Si<sub>x</sub>Ge<sub>y</sub>，其中x：y的范围是50‑90：50‑10；形成填充满所述开口的栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||