IGBT背面金属化的改善方法

摘要

本发明公开了一种IGBT背面金属化的改善方法，包括步骤：在硅衬底的正面完成正面图形工艺；完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；对硅衬底背面进行DHF清洗；形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的背面金属层；进行烤箱烘干工艺。本发明能形成良好的背面接触，同时能避免产生背面金属的脱落，提高产品的性能和良率。

主权项

一种IGBT背面金属化的改善方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底的正面完成正面图形工艺；步骤二、在所述硅衬底背面依次完成背面减薄工艺、背面注入工艺和激光退火工艺；步骤三、采用DHF清洗液对所述硅衬底背面进行DHF清洗，该DHF清洗用于去除所述硅衬底背面的自然氧化层以及在步骤一和二中形成的缺陷，所述DHF清洗的时间参数根据后续形成的背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻来确定，要求保证所述接触电阻满足要求；步骤四、在进行了所述DHF清洗后的所述硅衬底背面形成由Al、Ti、Ni和Ag叠加形成的所述背面金属层；步骤五、进行烤箱烘干工艺，所述烤箱烘干工艺的温度条件、时间条件和气氛条件根据所述背面金属层的Al和所述硅衬底背面的硅形成的接触电阻以及防止所述背面金属层的Ag脱落两个条件来确定；在保证所述接触电阻满足要求的条件下，通过降低所述烤箱烘干工艺的温度、时间或气氛中的氧浓度来防止所述背面金属层的Ag脱落。