| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。 | ||
| 申请公布号 | CN104576599A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410454274.8 | 申请日期 | 2014.09.09 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 林子闳;洪建州 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 张金芝;杨颖 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||