发明名称 高性能光谱选择性吸波元件及太阳能热光伏系统
摘要 本发明公开了一种高性能光谱选择性吸波元件及太阳能热光伏系统,包括金属基底、低折射率介质第一薄膜、高折射率半导体纳米方块阵列、低折射率介质第二薄膜和低折射率介质第三薄膜;低折射率介质第一薄膜均匀覆盖在金属基底上,其上构建棋盘状周期排列的高折射率半导体纳米方块阵列,在高折射率半导体纳米方块阵列之间填充低折射率介质第二薄膜,在其顶部覆盖低折射率介质第三薄膜。本发明通过对金属表面介质薄膜的结构设计,获得良好的光谱选择性;通过选择不同的金属、半导体、介质材料,和(或)改变结构参数,实现灵活的截止波长调控及光谱选择性;本发明同样适用于耐高温的金属、半导体、介质材料,可在太阳能热光伏系统中得到广泛应用。
申请公布号 CN104553221A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201510026282.7 申请日期 2015.01.20
申请人 浙江大学 发明人 莫磊;杨柳;陈拓;何赛灵
分类号 B32B33/00(2006.01)I;H02S10/30(2014.01)I 主分类号 B32B33/00(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 林松海
主权项  一种高性能光谱选择性吸波元件,其特征在于,包括金属基底(1)、低折射率介质第一薄膜(2)、高折射率半导体纳米方块阵列(3)、低折射率介质第二薄膜(4)、低折射率介质第三薄膜(5);低折射率介质第一薄膜(2)均匀覆盖在金属基底(1)上,低折射率介质第一薄膜(2)上构建棋盘状周期排列的高折射率半导体纳米方块阵列(3),在高折射率半导体纳米方块阵列(3)之间露出低折射率介质第一薄膜(2)的凹陷区填充低折射率介质第二薄膜(4),高折射率半导体纳米方块阵列(3)顶部及填充区均覆盖低折射率介质第三薄膜(5)。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号