发明名称 |
高性能光谱选择性吸波元件及太阳能热光伏系统 |
摘要 |
本发明公开了一种高性能光谱选择性吸波元件及太阳能热光伏系统,包括金属基底、低折射率介质第一薄膜、高折射率半导体纳米方块阵列、低折射率介质第二薄膜和低折射率介质第三薄膜;低折射率介质第一薄膜均匀覆盖在金属基底上,其上构建棋盘状周期排列的高折射率半导体纳米方块阵列,在高折射率半导体纳米方块阵列之间填充低折射率介质第二薄膜,在其顶部覆盖低折射率介质第三薄膜。本发明通过对金属表面介质薄膜的结构设计,获得良好的光谱选择性;通过选择不同的金属、半导体、介质材料,和(或)改变结构参数,实现灵活的截止波长调控及光谱选择性;本发明同样适用于耐高温的金属、半导体、介质材料,可在太阳能热光伏系统中得到广泛应用。 |
申请公布号 |
CN104553221A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201510026282.7 |
申请日期 |
2015.01.20 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
莫磊;杨柳;陈拓;何赛灵 |
分类号 |
B32B33/00(2006.01)I;H02S10/30(2014.01)I |
主分类号 |
B32B33/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
林松海 |
主权项 |
一种高性能光谱选择性吸波元件,其特征在于,包括金属基底(1)、低折射率介质第一薄膜(2)、高折射率半导体纳米方块阵列(3)、低折射率介质第二薄膜(4)、低折射率介质第三薄膜(5);低折射率介质第一薄膜(2)均匀覆盖在金属基底(1)上,低折射率介质第一薄膜(2)上构建棋盘状周期排列的高折射率半导体纳米方块阵列(3),在高折射率半导体纳米方块阵列(3)之间露出低折射率介质第一薄膜(2)的凹陷区填充低折射率介质第二薄膜(4),高折射率半导体纳米方块阵列(3)顶部及填充区均覆盖低折射率介质第三薄膜(5)。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |