一种基于铜衬底的氮化物LED垂直芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于铜衬底的氮化物LED垂直芯片及其制备方法，包括n型电极、二维衍生膜、氮化物外延层和p型电极，所述二维衍生膜附着在所述n型电极上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上，所述p型电极附着在所述氮化物外延层上。在制备完成基于铜衬底的氮化物LED外延片后，使用穿孔工艺，从铜衬底的背面开孔至缓冲层或n型电子注入层；制作金属沟道结构实现与n型电子注入层的欧姆接触，同时也实现n型电子注入层与铜衬底的导通；在p型空穴注入层顶部制作p型电极。本发明所述氮化物LED垂直芯片具有更好的电流扩展、更低的热阻和更高的可靠性等特征，非常适合大电流密度驱动、高光功率密度输出的应用方向。

主权项

一种基于铜衬底的氮化物LED垂直芯片，其特征在于：包括n型电极、二维衍生膜、氮化物外延层和p型电极，所述二维衍生膜附着在所述n型电极上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上，所述p型电极附着在所述氮化物外延层上；其中，所述二维衍生膜及氮化物外延层均为基于铜衬底的氮化物LED外延片结构的二维衍生膜及氮化物外延层；所述基于铜衬底的氮化物LED外延片结构包括铜衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述铜衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述铜衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上。