发明名称 |
互连结构的制造方法 |
摘要 |
一种互连结构的制造方法,包括,提供衬底,在衬底上形成掺高分子的第一介质层;在第一介质层形成第二介质层;形成依次贯穿所述第二介质层、第一介质层以及衬底的贯穿孔;向所述贯穿孔中填充导电材料,直至形成覆盖于第二介质层上的导电层;平坦化所述导电层直至露出第一介质层;还包括,在形成贯穿孔后,对第一介质层进行烘烤的步骤。本发明可提高产品良率。 |
申请公布号 |
CN102468219B |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201010532558.6 |
申请日期 |
2010.11.01 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
尹晓明;张海洋;周俊卿;孙武 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括,提供衬底,在衬底上形成掺高分子的第一介质层;在第一介质层形成第二介质层;形成依次贯穿所述第二介质层、第一介质层以及衬底的贯穿孔;向所述贯穿孔中填充导电材料,直至形成覆盖于第二介质层上的导电层;平坦化所述导电层直至露出第一介质层,其中,所述平坦化工艺对导电材料的选择比大于对第一介质层的选择比,以使得经过平坦化的所述第一介质层的表面高于所述导电层的表面;还包括,在平坦化所述导电层直至露出第一介质层的步骤之后对所述第一介质层进行烘烤,形成多孔第一介质层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |