| 发明名称 | 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，涉及薄膜晶体管及显示面板的设计和制备领域，用以降低源漏极的寄生电阻。所述非晶氧化物薄膜晶体管，在基板上包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，并且所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；另外，所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。 | ||
| 申请公布号 | CN102655165B | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201110076083.9 | 申请日期 | 2011.03.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘晓娣;孙力;陈海晶 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种非晶氧化物薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，其特征在于，所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，所述沟道层和所述欧姆接触层的材料均为非晶氧化物，且所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||