| 发明名称 | 一种化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化学机械研磨方法，包括如下步骤：提供形成有介质层的半导体衬底；对介质层进行第一次研磨，所述第一次研磨后在介质层表面产生有机物残留；用碱性试剂对介质层进行第二次研磨，去除介质层表面的有机物残留。本发明通过在现有化学机械研磨过程中，在完成对晶圆的主研磨工艺后以及后续工艺对所述晶圆进行清洗之前，通过使用碱性试剂来去除介质层表面上残留的有机物残渣，与现有技术相比，所述去除有机物残渣的效果更显著，从而提高最终产品的质量和性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102623327B | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201110211074.6 | 申请日期 | 2011.07.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓武锋 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，包括如下步骤：提供形成有介质层的半导体衬底，在所述介质层中形成有金属层；对介质层进行第一次研磨以平坦化所述介质层，至所述介质层上表面与金属层上表面持平，所述第一次研磨后在介质层表面产生有机物残留；用碱性试剂对介质层进行第二次研磨，去除介质层表面的有机物残留；所述碱性试剂中包括研磨颗粒、清洗剂、螯合剂、防腐蚀化合物以及表面活性剂；所述研磨颗粒占所述碱性试剂的质量百分比为1％‑15％、所述清洗剂占所述碱性试剂的质量百分比为0.1％‑5％、所述螯合剂占所述碱性试剂的质量百分比为0.01％‑2％、所述防腐蚀化合物占所述碱性试剂的质量百分比为0.01％‑2％、所述表面活性剂占所述碱性试剂的质量百分比为0.01％‑1％。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||