发明名称 一种阵列基板及制备方法、显示装置
摘要 本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可减少构图工艺次数,从而提升量产产品的产能,降低成本;该方法包括:在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜,通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅电极、栅线和栅线引线的图案层;在基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜,通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层,其中第一过孔位于所述栅线引线上方,第二过孔位于第一电极图案层上方;在基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层;在基板上形成包括钝化层的图案层;在基板上形成包括第二电极的图案层。用于制备阵列基板、显示装置等。
申请公布号 CN103022056B 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201210585682.8 申请日期 2012.12.28
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 郭建
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种阵列基板的制备方法,包括:步骤1、在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜,通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅极、栅线和栅线引线的图案层;步骤2、在完成前述步骤的基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜,通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层;其中,所述第一过孔位于所述栅线引线上方,所述第二过孔位于所述第一电极图案层上方;步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层以及源漏金属层保留图案层;其中,所述源漏金属层保留图案层通过所述第一过孔与所述栅线引线相连;所述漏电极通过所述第二过孔与所述第一电极相连;步骤4、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层;其中,所述钝化层上形成有第三过孔,所述第三过孔露出所述源漏金属层保留图案层;步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号