| 发明名称 | 硅通孔测试结构及测试方法 | ||
| 摘要 | 一种硅通孔测试结构及测试方法，所述硅通孔测试结构包括：硅衬底，贯穿所述硅衬底的硅通孔；围绕着所述硅通孔排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管围绕所述硅通孔的圆心围成若干个同心圆环。由于所述硅通孔测试结构的MOS晶体管围成若干个同心圆环，将不同圆环上的MOS晶体管与周围未形成有硅通孔的MOS晶体管的电学参数进行比较，获得硅通孔周围没有通孔应力影响的隔离区的半径，测量精准灵敏且方便快捷。 | ||
| 申请公布号 | CN103094252B | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201110338896.0 | 申请日期 | 2011.10.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 冯军宏;甘正浩 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;G01B7/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅通孔测试结构，其特征在于，包括：硅衬底，贯穿所述硅衬底的硅通孔；围绕着所述硅通孔排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管围绕所述硅通孔的圆心围成若干个同心圆环；周围未形成有硅通孔的MOS晶体管，其中周围未形成有硅通孔的MOS管的形成工艺和器件尺寸与围绕着所述硅通孔排列的MOS晶体管的形成工艺和器件尺寸相同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||