选择性的存储器单元编程和擦除

摘要

本文公开了用于对存储器阵列进行编程以实现较高的编程/擦除循环耐用性的技术。在一些方面，只有被选择的字线(WL)被编程而其它WL保持不被编程。作为例子，只有偶数字线被编程而奇数WL保持不被编程。在所有偶数字线都被编程并且要用新的数据对该数据块进行编程之后，该块被擦除。之后，只有奇数字线被编程。在擦除之前可以将数据转移到每个存储器单元存储多个位的块。在一个方面，以棋盘图案编程数据，一些存储器单元被编程而其它存储器单元保持不被编程。之后，在擦除数据之后，棋盘图案的先前未被编程的部分被编程而剩余的单元不被编程。

主权项

一种对非易失性存储器进行操作的方法，所述非易失性存储器具有多个非易失性存储元件和与所述多个非易失性存储元件相关联的多个字线，所述方法包括：擦除所述多个非易失性存储元件(702、752、1002)；将数据编程在第一组的与所述多个字线的偶数字线相关联的所述多个非易失性存储元件中而同时留下第二组的与所述多个字线的奇数字线相关联的所述多个非易失性存储元件不被编程，对于所述第一组中的每个非易失性存储元件来说，所述第一组中的该非易失性存储元件上面或下面的字线上的任何相邻非易失性存储元件都是保持不被编程的所述第二组中的元件(704、1004)；擦除至少所述第一组的非易失性存储元件中的数据而同时所述第二组的非易失性存储元件保持不被编程(706、756、1006)，其中擦除所述第一组的非易失性存储元件中的数据而同时所述第二组的非易失性存储元件保持不被编程包括：对所述多个非易失性存储元件施加一个或多个擦除脉冲；在施加所述一个或多个擦除脉冲时对所述奇数字线施加第一电压；以及在施加所述一个或多个擦除脉冲时对所述偶数字线施加第二电压，所述第一电压不同于所述第二电压；对所述第二组的非易失性存储元件中的至少一部分进行编程，对于所述第二组的该部分中的每个非易失性存储元件来说，所述第二组的该部分中的该非易失性存储元件上面或下面的字线上的任何相邻非易失性存储元件保持不被编程(708、1008)；以及擦除所述第二组的非易失性存储元件中的所述至少一部分中的数据，而同时所述第二组的所述至少一部分中的非易失性存储元件上面或下面的字线上的相邻非易失性存储元件保持不被编程(710、1010)。