| 摘要 |
<p>【課題】 半導体用途で用いるために金属不純分濃度の低いクロロポリシランを得ることが求められているが、蒸留ではクロロポリシランと蒸気圧の近いチタン化合物や昇華現象の起こるアルミ化合物等の不純分を除くことは困難であった。一方、原料である金属ケイ素中のアルミニウムやチタンに代表される金属不純分を減少させた場合、反応温度を高くしないと塩素化反応が起きにくくなる傾向があったため、装置的な制約があった。【解決手段】 粒状の金属ケイ素と金属銅または銅化合物との混合物を不活性雰囲気中で加熱することにより、アルミニウムやチタンを含まない高純度な金属ケイ素であっても、比較的低温で塩素化反応を実施できることを見出し、塩素化反応が開始したあとは必要に応じて金属ケイ素を追加することにより、高純度のクロロポリシランを得ることができることを見出した。</p> |
