ガスバリアーフィルム及び電子機器

摘要

ポリシラザンを含有する層に真空紫外線照射を施してなるガスバリアー層１４を、基材１１上に備えたガスバリアーフィルム１０が、下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の全てを満たす化合物Ａを、当該ガスバリアー層全体に対して１質量％以上、４０質量％以下の範囲で含有するようにした。（ａ）Ｓｉ−Ｏ結合を有し、且つＳｉと直接結合した有機基を有する。（ｂ）Ｓｉ−Ｈ基またはＳｉ−ＯＨ基を有する。（ｃ）分子量が９０以上、１２００以下である。