ＳｒＲｕＯ３膜の成膜方法

摘要

本発明は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によってＳｒＲｕＯ３膜を成膜する際に、異常放電の発生を抑制し、且つ、高い成膜速度を得ながら、高品質なＳｒＲｕＯ３膜を成膜することが可能なＳｒＲｕＯ３膜の製造方法を提供する。本発明の一実施形態は、オフセット回転成膜式のＤＣマグネトロンスパッタリング法によるＳｒＲｕＯ３膜の成膜方法であって、酸素含有雰囲気において、１．０Ｐａ以上、８．０Ｐａ未満の成膜圧力で基板上にＳｒＲｕＯ３膜の成膜を行う。